生产厂商：日本电子株式会社

型号：JXA-8530F

设备编号：20168396

放置地点：南湖校区综合实验楼二期117B房间

元素分析范围：WDS:(Be)B to U, EDS:B to U

X射线范围：WDS谱:0.087-9.3 nm, EDS能谱:20 keV

X射线光谱仪数量：WDS:1-5可选, EDS:1

样品最大尺寸：100 mm * 100 mm * 50 mm (H)

加速电压：1-30 Kv (每次0.1 Kv)

探针电流稳定性：±0.3%/h (10kV, 50nA)

二次电子图像分辨率：3 nm at WD 11 mm, 30 kV; 20 nm at 10 kV, 100 nA, WD 11 mm; 50 nm at 10 kV, 10 nA, WD 11 mm

放大倍数：×40 to ×300,000 (WD 11 mm)

扫描图像像素分辨率：最高5,120 × 3,840

主要功能：

微观形貌观察、波谱分析、能谱分析。

特点：

配备波谱仪可实现微量元素的定量与定性分析，对B、C、N、O等轻元素分析较为准确。